|
|
پژوهش های نوین فیزیک، جلد ۸، شماره ۱، صفحات ۱۵-۲۳
|
|
|
| عنوان فارسی |
بررسی کاربرد ساختار با لایهی فعال پروسکایت و اتصال فلزی آلومینیوم به عنوان ممریستور |
|
| چکیده فارسی مقاله |
در این پژوهش به مسئلهی حرکت حاملهای یونی در داخل پروسکایت پرداختیم که به عنوان لایهی فعال در ساختار استفاده شد. این حاملها میتوانند منجر به ایجاد پسماند در نمودار ولتامتری چرخه ای دستگاه ساخته شده گردد. سایر لایههای دستگاه از جمله اتصال فلزی نیز میتوانند در جریانها نقش بازی کنند. برای بررسی این مسئله ما نقش اتصال فلزی آلومینیوم را بررسی کردیم. همچنین بین اتصال فلزی و پروسکایت لایهی اسپایرو امتاد (Spiro-OMeTAD)قرار دادیم و نقش آن را در رفتار قطعه بررسی کردیم. طبق نتایج نمودارهای ولتامتری چرخهای در عدم حضور تابش در نمودارها یک قله مشاهده شد که میتوان آن را به بروز یک واکنش اکسایش-کاهش در ساختار انتساب داد. چون یونها در ساختار متحرک هستند، در اثر این حرکت، یونهای ید به سمت اتصال فلزی آلومینیوم حرکت میکنند و با آلومینیوم واکنش داده و تشکیل آلومینیوم یدید میدهند. این نوع رفتار (قلهی واکنش اکسایش-کاهش) در این دستگاه، عکس العمل خازنی نامیده میشود که برای دستگاه ممریستور مطلوب نمی باشد. نوعی رفتار به نام عکس العمل القایی وجود دارد که برای ممریستورها مطلوب است و در قطعات ساخته شده مشاهده نشد.
|
|
| کلیدواژههای فارسی مقاله |
ممریستور پروسکایتی،جریان یونی،پسماند،اتصال فلزی،آلومینیوم، |
|
| عنوان انگلیسی |
Investigating the application of a structure with perovskite active layer and aluminum metal contact as a memristor |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
In the present research, we addressed the movement of ionic carriers inside perovskite, which was used as an active layer in the structure. These carriers can lead to the creation of hysteresis in the cyclic voltammetry diagram of the device. Other layers of the device, including the metal contacts, can also play a role in the currents. To investigate this issue, we investigated the role of aluminum metal contact. In addition, we placed a Spiro-OMeTAD layer between the metal contact and the perovskite and investigated its role in the device's behavior. According to the results of the cyclic voltammetry analysis, a peak was observed in the absence of radiation in the diagrams, which can be attributed to the occurrence of a Redox reaction in the structure. Because the ions are mobile in the structure, as a result of this movement, the iodine ions move towards the metal contact of aluminum and react with aluminum to form aluminum iodide. This type of behavior (related to the peak of Redox reaction) in this device is called capacitive behavior, which is not desirable for memristor devices. There is a type of behavior called inductive behavior, which is desirable for memristors and was not observed in the fabricated devices. |
|
| کلیدواژههای انگلیسی مقاله |
ممریستور پروسکایتی,جریان یونی,پسماند,اتصال فلزی,آلومینیوم |
|
| نویسندگان مقاله |
سعید صالح پور |
دانشگاه مازندارن، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک، بابلسر، ایران
|
|
| نشانی اینترنتی |
https://jmrph.khu.ac.ir/article_6349_8c5149362e6e7f7947fd2f578df6b575.pdf |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|
