|
|
پژوهش های نوین فیزیک، جلد ۱۰، شماره ۱، صفحات ۴۳-۵۰
|
|
|
| عنوان فارسی |
تونل زنی شبه ذرات در گرافن تحت تنش |
|
| چکیده فارسی مقاله |
گرافن یک نیمه هادی بدون گاف انرژی است که برای استفاده از ان در کاربردهایی نظیر نانو الکترونیکی ایجاد یک شکاف محدود در نوار انرژی و در نقاط دیراک لازم است. در اینجا با استفاده از مدل تنگ بست قوی تایر کرنش را در دو جهت زیگزاگ و دسته صندلی به بررسی انتقال انتقال شبه الکتونهای جرم دار و بدون جرم از سد پتانسیل یگانه و دوگانه در گرافن پرداخته ایم. مشخص شد وقتی الکترون در فرود عمودی و غیر عمودی باشداحتمال انتقال تابع نوسانی از پاررامترهای تونل زنی مثل انرژی یا ارتفاع سد استو در نقاط تشدید احتمال عبور یک است. |
|
| کلیدواژههای فارسی مقاله |
استرین،تونلزنی،جهت زیگزاگ و دسته صندلی،احتمال عبور، |
|
| عنوان انگلیسی |
Tunneling of quasiparticles in graphene under strain |
|
| چکیده انگلیسی مقاله |
Graphene is a semiconductor without an nergy gap........ |
|
| کلیدواژههای انگلیسی مقاله |
استرین,تونلزنی,جهت زیگزاگ و دسته صندلی,احتمال عبور |
|
| نویسندگان مقاله |
جلیل ناجی |
دانشگاه ایلام
افسانه حاتمی نیا |
دانشگاه ایلام
خدیجه قاسمیان |
دانشگاه ایلام
|
|
| نشانی اینترنتی |
https://jmrph.khu.ac.ir/article_6375_f29a179746902e331572c483c45e5086.pdf |
| فایل مقاله |
فایلی برای مقاله ذخیره نشده است |
| کد مقاله (doi) |
|
| زبان مقاله منتشر شده |
fa |
| موضوعات مقاله منتشر شده |
|
| نوع مقاله منتشر شده |
|
|
|
|
برگشت به:
صفحه اول پایگاه |
نسخه مرتبط |
نشریه مرتبط |
فهرست نشریات
|
