پژوهش های نوین فیزیک، جلد ۲، شماره ۲، صفحات ۱-۱۰
عنوان فارسی بررسی تاثیر پارامترهای ناهمواری بر مشخصۀ جریان - ولتاژ دیودهای تونل زنی تشدیدی
چکیده فارسی مقاله در این مقاله، تاثیر پراکندگی الکترون، به دلیل حضور فصول مشترک ناهموار، بر رسانش الکتریکی در ساختارهای تونل­زنی بررسی شده است. ساختار تونل­زنی یک پنج لایه­ای (دوسدی) است که تمامی لایه­ها نیمه رسانا هستند. محاسبات در چارچوب الکترون نسبتاً آزاد و روش ماتریس انتقال انجام شده است. تاثیر پارامترهای مختلف ناهمواری شامل ارتفاع ناهمواری، طول همبستگی و نمای زبری بر رسانش الکتریکی در دمای صفر مطالعه شده است.نتایج امان نشان داد که افزایش ناهمواری منجر به افزایش پراکندگی الکترون­های فرودی می­گردد و همچنین باعث کاهش یافتن احتمال عبور الکترون­ها و در نتیجه، کاهش ترابرد الکتریکی از ساختارهای تونل­زنی می­شود. از طرف دیگر با افزایش نمای زبری، ناهمواری­های سطح نرم­تر شده و فصول مشترک، نسبت به نماهای زبری بزرگ­تر، کمتر ناهموار به­نظر می­رسند. تاثیر مربوط به تغییر بیش از یک مشخصه­ی ناهمواری بر جریان تونل­زنی منجر به نتایج جالبی شده است که می­تواند در ساخت قطعات الکترونیکی مورد توجه قرار گیرد.
کلیدواژه‌های فارسی مقاله ناهمواری، مشخصۀ جریان-ولتاژ ، دیود تونل زنی تشدیدی، پراکندگی الکترون
عنوان انگلیسی Study of roughness parameters effect on I-V characteristic of resonant tunneling diodes
چکیده انگلیسی مقاله In present paper, effect of electron scattering due to presence of rough interfaces is investigated on electrical conductance in tunneling structures. The tunneling structure is a fifth layer (double barriers) that all of them are semiconductor. Calculations are carried out in the frame work of nearly free electron approximation and transfer matrix method. Our results show that increasing of roughness results in increasing of incident electrons scattering and also cause to decreasing of transmission probability of electrons, and hence, decreasing of electrical transport through tunneling structures. Besides, with increasing of rough exponent, roughness of surface becomes smoother and into greater rough exponent, interfacial seems more plain. The influence of variation of more than one characteristic of roughness on tunneling current leads to interesting results that can regard in electronic devices fabrication.
کلیدواژه‌های انگلیسی مقاله Roughness, I-V characteristic, Resonant tunneling diode, Electron scattering.
نویسندگان مقاله ژاله ابراهیمی نژاد | Zhaleh ebrahiminejad


رضا ثابت داریانی | reza Sabet Dariani


سید فرهاد مسعودی | Farhad Masoudi


نشانی اینترنتی http://jmrph.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-75-1&slc_lang=fa&sid=1
فایل مقاله فایلی برای مقاله ذخیره نشده است
کد مقاله (doi)
زبان مقاله منتشر شده fa
موضوعات مقاله منتشر شده تخصصی
نوع مقاله منتشر شده پژوهشی
برگشت به: صفحه اول پایگاه   |   نسخه مرتبط   |   نشریه مرتبط   |   فهرست نشریات